发明名称 Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Wachstum eines Kristalles einer chemischen Verbindung
摘要
申请公布号 DE69031976(D1) 申请公布日期 1998.02.26
申请号 DE1990631976 申请日期 1990.11.23
申请人 RESEARCH DEVELOPMENT CORP. OF JAPAN, TOKIO/TOKYO, JP;MANADA, NOBUAKI, SENDAI, MIYAGI, JP;KURABAYASHI, TORU, SENDAI, MIYAGI, JP;NISHIZAWA, JUNICHI, SENDAI, MIYAGI, JP 发明人 MANADA, NOBUAKI, SENDAI-SHI, MIYAGI-KEN, JP;ITO, JUNJI, SENDAI-SHI, MIYAGI-KEN, JP;KURABAYASHI, TORU, SENDAI-SHI, MIYAGI-KEN, JP;NISHIZAWA, JUN-ICHI, SENDAI-SHI, MIYAGI-KEN, JP
分类号 C30B25/14;C30B25/16;C30B29/42;H01L21/205;(IPC1-7):C30B25/02;C30B25/10 主分类号 C30B25/14
代理机构 代理人
主权项
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