| 发明名称 |
Method of manufacturing fine structures |
| 摘要 |
Zur Herstellung feiner Strukturen werden auf der Oberfläche eines Substrats (1, 2, 3) in einem CVD-Verfahren unter Verwendung eines ersten Prozeßgases, das in einem Trägergas SiH4 und GeH4 enthält, Keime (4) gebildet, die die Abmessungen der feinen Strukturen bestimmen. Die Keime (4) können sowohl als Maske z. B. beim Ätzen oder Implantieren, verwendet werden als auch als aktive oder passive Bestandteile, z. B. als Ladungsspeicher im Dielektrikum eines EEPROMs, in der Struktur verbleiben. <IMAGE> |
| 申请公布号 |
EP0825638(A2) |
申请公布日期 |
1998.02.25 |
| 申请号 |
EP19970110326 |
申请日期 |
1997.06.24 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
SCHAEFER, HERBERT;FRANOSCH, MARTIN;STENGL, REINHARD;LEHMANN, VOLKER;REISINGER, HANS;WENDT, HERMANN |
| 分类号 |
C23C16/04;H01L21/033;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/266;H01L21/28;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/205 |
主分类号 |
C23C16/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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