发明名称 SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR MONOLITHIC MICROWAVE INTEGRATED CIRCUIT AND MANUFACTURING METHOD OF MONOLITHIC MICROWAVE INTEGRATED CIRCUIT
摘要
申请公布号 JPH1056132(A) 申请公布日期 1998.02.24
申请号 JP19960211688 申请日期 1996.08.09
申请人 NIPPON HOSO KYOKAI <NHK> 发明人 IMAI KAZUO
分类号 H01L21/822;H01L21/338;H01L27/01;H01L27/04;H01L27/095;H01L29/778;H01L29/812;(IPC1-7):H01L27/01 主分类号 H01L21/822
代理机构 代理人
主权项
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