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发明名称
SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR MONOLITHIC MICROWAVE INTEGRATED CIRCUIT AND MANUFACTURING METHOD OF MONOLITHIC MICROWAVE INTEGRATED CIRCUIT
摘要
申请公布号
JPH1056132(A)
申请公布日期
1998.02.24
申请号
JP19960211688
申请日期
1996.08.09
申请人
NIPPON HOSO KYOKAI <NHK>
发明人
IMAI KAZUO
分类号
H01L21/822;H01L21/338;H01L27/01;H01L27/04;H01L27/095;H01L29/778;H01L29/812;(IPC1-7):H01L27/01
主分类号
H01L21/822
代理机构
代理人
主权项
地址
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