发明名称 METHOD FOR REMOVING POSIITYPE PHOTORESIST
摘要 PURPOSE:To provide a method for removing posi-type photoresist of naphthoquine diazide type at normal temperature using hydrazine (aqueous solution), with washing after removal being performed with cheap water.
申请公布号 JPS5267629(A) 申请公布日期 1977.06.04
申请号 JP19750142994 申请日期 1975.12.03
申请人 HITACHI LTD 发明人 YAMAGUCHI HISAO
分类号 H01L21/30;G03F7/30;G03F7/32;G03F7/42;H01L21/027 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人
主权项
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