发明名称 阴极射线管之制造方法及其装置
摘要 本发明,系关于在萤光面形成所定膜的阴极射线管之制造方法及其装置。将阴极射线管的至少萤光面之有效领域,保持在真空室内,使之对真空室外部成为气密的状态后,在萤光面上,使用成膜装置形成薄层。
申请公布号 TW327233 申请公布日期 1998.02.21
申请号 TW086104719 申请日期 1997.04.12
申请人 东芝股份有限公司 发明人 荒牧成光
分类号 H01J9/24 主分类号 H01J9/24
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种阴极射线管之制造方法,其特征为,具有;将阴极射线管的至少萤光面之有效领域,保持在真空室内,做为对真空室外部气密的状态之工程,及在前述萤光面上使用成膜装置形成薄层的工程。2.如申请专利范围第1项所述的阴极射线管之制造方法,其中,前述真空室,具有用以保持至少前述萤光面的有效领域之第1领域,和根据阀机构区分成能与该第1领域开闭,设有膜装置之第2领域,前述做为气密状态的工程,系把第1领域及第2领域间开放而进行,前述形成薄膜之工程后,将保持的萤光面脱卸之工程,将把此等第1领域及第2领域间再度关闭而进行。3.如申请专利范围第1项所述的阴极射线管之制造方法,其中,前述至少保持萤光面之工程,将使用从封油圈,中空封油圈,及舌状衬垫而成的群选择之气密装置进行。4.如申请专利范围第1项所述的阴极射线管之制造方法,其中,前述薄层,实际上系由反射防止膜而成者。5.如申请专利范围第1项所述的阴极射线管之制造方法,其中,前述薄层,系包含静电防止膜。6.如申请专利范围第1项所述的阴极射线管之制造方法,其中,前述薄层系由多层而成。7.如申请专利范围第6项所述的阴极射线管之制造方法,其中,前述多层,系包含氧化锆的薄层及二氧化矽的薄层之叠片体。8.一种阴极射线管之制造装置,其特征为,具备有:真空室,和设在该真空室的一部份,至少将阴极射线管屏板之萤光面的有效领域保持在室内之气密装置,和设在该真空室内的成膜装置之真空成膜装置。9.如申请专利范围第8项所述的阴极射线管之制造装置,其中,前述真空室,系由用以保持至少前述萤光面的有效领域之第1领域,和与该第1领域根据能开闭的阀机构区分,而设有成膜装置之第2领域所构成。10.如申请专利范围第8项所述的阴极射线管之制造装置,其中,前述气密装置,将从封油圈,中空封油圈,及舌状衬垫而成的群选择。11.如申请专利范围第8项所述的阴极射线管之制造装置,其中,前述薄层,实际上系由反射防止膜而成。12.如申请专利范围第8项所述的阴极射线管之制造装置,其中,前述薄层,系包含静电防止层。13.如申请专利范围第8项所述的阴极射线管之制造装置,其中,前述薄层,系由多层而成。14.如申请专利范围第13项所述的阴极射线管之制造装置,其中,前述多层,包含氧化锆的薄层及二氧化矽的薄层之叠片体。15.如申请专利范围第8项所述的阴极射线管之制造装置,其中,前述成膜装置,有能移动的多数之成膜源。16.如申请专利范围第8项所述的阴极射线管之制造装置,其中,将前述真空成膜装置设置多数者。图示简单说明:第一图,为显示一般性阴极射线管的构造之概略图。第二图,为显示使用习知的溅散法之薄层制造装置的概略图。第三图,为显示本发明的阴极射线管之制造装置的一实施形态之概略图。第四图,为显示阴极射线管屏板的保持状态之其他例的部份图。第五图,为显示阴极射线管屏板的保持状态之其他例的部份图。第六图,为显示本发明的阴极射线管之制造方法的操作程序之一例的流程表。第七图,为显示根据本发明所得之多层的一例之部份图。第八图,为显示根据本发明所得之多层的一例之部份图。
地址 日本