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<P>Un procédé pour fabriquer un dispositif de mémoire à semi-conducteurs comprenant un substrat (10), un transistor de transfert formé dans le substrat et un condensateur de type en arbre connecté à des régions de source/drain (16a, 16b) du transistor, comprend la formation successive de couches conductrices et isolantes permettant de définir une électrode de stockage de charge pour le condensateur. Cette électrode comprend une couche en forme de tronc (26a), une couche en forme de branche supérieure (34a) et des couches en forme de branche suspendues (30a) partant de la surface inférieure de la couche en forme de branche supérieure. Une couche diélectrique (36a) recouvrant les surfaces à nu de l'électrode de stockage et une couche conductrice de recouvrement (38), formant une électrode opposée, complètent le condensateur.</P> |
