| 摘要 |
<P>Un dispositif de mémoire à semi-conducteurs comprend un substrat (10), un transistor de transfert (16a, 18a) formé sur le substrat et un condensateur de stockage de charge connecté à l'une des régions de source/drain du transistor. Le condensateur de stockage de charge comporte une couche conductrice en forme de tronc, au moins une première couche conductrice en forme de branche, une couche diélectrique (42a) et une couche conductrice supérieure (44). Les couches conductrices en forme de tronc et en forme de branche forment l'électrode de stockage du condensateur, tandis que la couche conductrice supérieure forme une électrode opposée du condensateur.</P> |
