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<P>Un procédé de fabrication d'une électrode de stockage, d'un condensateur de stockage, d'une mémoire DRAM permet d'obtenir une structure d'électrode comprenant une couche conductrice en forme de tronc inférieure (26a), une couche conductrice en forme de tronc supérieure (46a) et une couche conductrice en forme de branche (40a), permettant de réaliser un condensateur de type en arbre. La couche en forme de branche a une section transversale en L, avec des parties horizontale et verticale. La couche en forme de tronc inférieure a une section transversale en T et elle est directement en contact avec une région de drain (16a) d'un transistor de transfert.</P> |
