发明名称 Halbleiteranordnung mit einem Hohlraum um eine Gate-Elektrode herum und Verfahren zur Herstellung
摘要
申请公布号 DE69316314(D1) 申请公布日期 1998.02.19
申请号 DE1993616314 申请日期 1993.10.27
申请人 MATSUSHITA ELECTRONICS CORP., TAKATSUKI, OSAKA, JP 发明人 OISHI, YOSHIRO, NISHINOMIYA-SHI, HYOGO-KEN, JP;UEDA, DAISUKE, IBARAKI-SHI, OSAKA, JP
分类号 H01L21/338;H01L23/482;H01L23/522;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/812;(IPC1-7):H01L29/812;H01L29/41 主分类号 H01L21/338
代理机构 代理人
主权项
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