| 发明名称 |
PROCESS FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING AND/OR LIGHT-RECEIVING SEMICONDUCTOR BODY |
| 摘要 |
<p>Verfahren zum Herstellen eines Licht aussendenden und/oder empfangenden Halbleiterkörpers mit mindestens einer Halbleiterschicht, die aus GaAsxP1-x mit 0 </= X < 1 besteht. Bei dem erfindungsgemässen Verfahren wird zumindest ein Teil der Oberfläche der Halbleiterschicht in einem ersten Ätzschritt mit einer Ätzlösung der Zusammensetzung H2SO4:H2O2:H2O und nachfolgend in einem zweiten Ätzschritt mit Flusssäure behandelt, so dass auf dem Teil der Oberfläche der Halbleiterschicht eine Aufrauhung erzeugt wird.</p> |
| 申请公布号 |
WO9807195(A1) |
申请公布日期 |
1998.02.19 |
| 申请号 |
WO1997DE01729 |
申请日期 |
1997.08.13 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;FISCHER, HELMUT;NIRSCHL, ERNST;WEGLEITER, WALTER |
发明人 |
FISCHER, HELMUT;NIRSCHL, ERNST;WEGLEITER, WALTER |
| 分类号 |
H01L31/02;H01L31/0236;H01L33/02;(IPC1-7):H01L31/023;H01L33/00 |
主分类号 |
H01L31/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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