| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种具有低阈值电压、能够防止由于活性区域杂质缺乏而导致泄漏电流的MOS半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括:所定的导电型的半导体衬底;在衬底上形成的场绝缘膜;通过场绝缘膜在上述衬底内设定的活性区域;包围场绝缘膜的在衬底内形成的与衬底为同一导电型的杂质区域;在衬底上形成的门绝缘膜;在门绝缘膜及场绝缘膜上形成的门极图形。 | ||
| 申请公布号 | CN1173739A | 申请公布日期 | 1998.02.18 |
| 申请号 | CN97113871.0 | 申请日期 | 1997.06.28 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 金载甲 |
| 分类号 | H01L27/10 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 杨梧 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，具有低阈值电压，其特征在于，包括：所定的导电型的半导体衬底；在上述衬底上形成的场绝缘膜；通过上述场绝缘膜在上述衬底内设定的活性区域；包围上述场绝缘膜的在上述衬底内形成的与上述衬底为同一导电型的杂质区域；在上述衬底上形成的门绝缘膜；在上述门绝缘膜及场绝缘膜上形成的门极图形。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||