| 发明名称 |
High voltage structures with oxide isolated source and RESURF drift region in bulk silicon |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0562352(B1) |
申请公布日期 |
1998.02.18 |
| 申请号 |
EP19930103748 |
申请日期 |
1993.03.09 |
| 申请人 |
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED |
发明人 |
MALHI, SATWINDER |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/772 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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