| 发明名称 | 用于磷化镓发光元件的外延晶片及磷化镓发光元件 | ||
| 摘要 | 一种用于Gap发光元件的外延晶片,它包含在n型Gap单晶衬底上相继生长的n型Gap缓冲层、n型Gap层、掺氮的n型Gap层和P型Gap层,其中掺氮的n型Gap层中的Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的总浓度不超过1×10<SUP>15</SUP>cm<SUP>-3</SUP>,而缓冲层中的Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的总浓度不超过1×10<SUP>16</SUP>cm<SUP>-3</SUP>。在片子上制作了n型和p型电极,然后将片子分割成Gap发光元件。 | ||
| 申请公布号 | CN1173741A | 申请公布日期 | 1998.02.18 |
| 申请号 | CN97114720.5 | 申请日期 | 1997.07.17 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 吉永敦 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种由在n型GaP衬底上相继形成n型GaP层、掺氮的n型GaP层和P型GaP层的方法制作的用于GaP发光元件的外延晶片，其特征是掺氮的n型GaP层中的Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的总浓度不超过1×1015cm-3。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||