半导体集成电路器件

摘要

本发明揭示一种半导体集成电路器件,包括形成多晶硅层(43)以便到达全部单元晶胞的电源/GND专用的有源区域(23)、(32),构成MOS电容。也就是说,借助于在取基板电位的扩散层上配置多晶硅层(43),得到去耦电容。因此,能抑制电源噪声。本发明提供了能具有不要特别的面积、仅在已有的区域吸收电源噪声的去耦电容的半导体集成电路器件。

主权项

1.一种半导体集成电路器件，其特征在于，借助于在半定制LSI的单元晶胞中配置多晶硅层以便到达电源/GND专用的P+有源区域、得到去耦电容，能抑制电源噪声。