摘要 |
CUANDO SE FABRICAN CIRCUITOS LOGICOS CMOS, POR EJEMPLO UN INVERSOR, ES CON FRECUENCIA NECESARIO CONECTAR LAS FUENTES DE LOS TRANSISTORES DE LOS CANALES P Y N A SUS CUBETAS RESPECTIVAS (N Y P, RESPECTIVAMENTE). LA TECNICA ANTERIOR EXIGIA BIEN UNA GRAN VENTANA DE CONTACTO CUBRIENDO TANTO LA FUENTE COMO LAS CUBETAS O BIEN DOS VENTANAS DE CONTACTO DE TAMAÑO ESTANDAR. LA TECNICA DESCRITA AQUI FORMA LA CONEXION UTILIZANDO LA MISMA CAPA DE SILICIURO (106,107,112,116) QUE SE FORMA EN LAS REGIONES FUENTE/DESCARGA, LA CUAL TAMBIEN FORMA UN SILICIURO DE PUERTA (108,117) EN EL PROCESO DE SILICIURO AUTOALINEADO. ASI, PUEDE EMPLEARSE UNA VENTANA CONVENCIONAL PARA CONECTAR LA UNION DE SILICIURO DE LA CUBETA (Y, POR LO TANTO, LAS REGIONES FUENTE/CUBETA) A UN CONDUCTO DE SUMINISTRO DE CORRIENTE (114,128). DE ESTA FORMA SE CONSIGUE AHORRAR ESPACIO Y MAYOR LIBERTAD PARA COLOCAR LA FUENTE ENERGETICA.
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