| 发明名称 |
PROCEDIMIENTO PARA CREAR UN DEPOSITO DE OXIDO DE SILICIO SOBRE UN SUSTRATO SOLIDO EN DESPLAZAMIENTO. |
| 摘要 |
<p>SEGUN EL PROCESO SE SOMETE EL SUSTRATO (2) A UNA DESCARGA ELECTRICA DE BARRERA DIELECTRICA, POR EJEMPLO UNA DESCARGA EN PRESENCIA DE UNA ATMOSFERA QUE CONTIENE SILANO, GAS OXIDANTE NO N2O, CO2 U O2, PARTICULARMENTE Y UN GAS PORTADOR NEUTRO TAL COMO NITROGENO O ARGON. SE MANTIENE ALREDEDOR DEL ELECTRODO (6) UTILIZADO PARA LA DESCARGA ELECTRICA UNA ATMOSFERA CONTROLADA QUE CONTIENE EL SILANO Y EL GAS OXIDANTE CERCA DEL ELECTRODO, EVITANDO QUE EL PROCESO SEA PERTURBADO POR EL AIRE ATMOSFERICO ARRASTRADO, POR EJEMPLO POR EL SUSTRATO (2) DE PASO (3).</p> |
| 申请公布号 |
ES2110708(T3) |
申请公布日期 |
1998.02.16 |
| 申请号 |
ES19940400916T |
申请日期 |
1994.04.28 |
| 申请人 |
L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE;SOFTAL ELECTRONIC GMBH |
发明人 |
SLOOTMAN, FRANK;BOUARD, PASCAL;COEURET, FRANCOIS;JOUVAUD, DOMINIQUE;PRINZ, ECKHARD, |
| 分类号 |
C01B33/113;B01J19/08;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/54;(IPC1-7):C23C16/40;C23C16/44 |
主分类号 |
C01B33/113 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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