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<p>Zum Betrieb einer Speicherzellenanordnung mit MOS-Transistoren als Speicherzellen, die als Gatedielektrikum eine dielektrische Dreifachschicht (5) mit einer ersten Siliziumoxidschicht (51), einer Siliziumnitridschicht (52) und einer zweiten Siliziumoxidschicht (53) umfassen, wobei die Siliziumoxidschichten jeweils mindestens 3 nm dick sind, wird zur Speicherung digitaler Daten einem ersten logischen Wert ein erster Einsatzspannungswert und einem zweiten logischen Wert ein zweiter Einsatzspannungswert des MOS-Transistors zugeordnet. Die in der Speicherzelle gespeicherte Information kann durch Anlegen entsprechender Spannungspegel verändert werden, obwohl ein vollständiges Entfernen von in der Siliziumnitridschicht gespeicherten Ladung wegen der Dicke der Siliziumoxidschichten nicht möglich ist. Beim Verändern der Einsatzspannung wird ausgenutzt, daß das elektrische Feld in der dielektrischen Dreifachschicht durch die in der Siliziumnitridschicht gespeicherte Ladung verzerrt wird.</p> |
