发明名称 薄膜形成装置
摘要 本创作系一种利用电浆及材料气体来形成薄膜的装置;在本装置中,在成膜室内室抑制从推积的膜所产生的微粉末的发生,而形表面缺陷少的高品质薄膜。此薄膜形成装置具有:钟形电锅(bell jar),及,供应电力给钟形电锅的电力供应装置,及,成膜室,及,对成膜室等进行真空排气的排气装置,及,供应电浆生成用原料气体的第1气体导入装置,及,供应薄膜形成用材料气体的第2气体导入装置;并设有:阻止材料气体及所生成的电浆之中的至少其中之一进入第2气体导入装置的气体供应端部及成膜室的内壁面之间的空间的,遮断部材。而此遮断部材系由具有大曲率的部分者所形成。
申请公布号 TW326969 申请公布日期 1998.02.11
申请号 TW085212359 申请日期 1995.08.11
申请人 日电亚尼尔巴股份有限公司 发明人 田村好宏
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种薄膜形成装置,系具有:电浆生成室;用以供应电力给前述电浆生成室的电力供应装置,及与前述电浆生成室相连接的成膜室;对前述电浆生成室与前述成膜室进行排气的排气装置;将产生电浆的气体导入前述成膜室的第1气体导入装置;及将形成薄膜的材料气体导入前述成膜室的第2气体导入装置的薄膜形成装置,其特征为:设有阻止前述材料气体及所生成的电浆之一中的至少一者进入前述第2气体导入装置的气体供应端部及前述成膜室的内侧壁面之间的空间的遮断构件,前述的遮断构件系设为可覆盖住前述第2气体导入装置的前述气体供应端部及前述空间且形成为具有大曲率的形状,而配置于前述气体供应端部及前述内侧壁面之间的含有小曲率部份及锐角部份的构件系由前述遮断构件所覆盖。2.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置,其中前述的遮断构件系以绝缘构件使其与成膜室为电性上的绝缘。3.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置,其中前述的遮断构件形成为具有大曲率的形状,且具有外端为开放而且纵断面形状为横向的U字型的环状的形状,且在对应着形成前述气体供应端部的气体孔的位置形成气体孔,而且覆盖住前述空间与前述供应端部。4.如申请专利范围第3项之薄膜形成装置,其中配置于前述气体供应端部及前述内侧壁面之间的含有小曲率部份及锐角部份的构件系由前述遮断构件所覆盖。5.如申请专利范围第3项之薄膜形成装置,其中前述的遮断构件系以2个环状型绝缘构件使其与成膜室为电性上的绝缘。图示简单说明:第一图系显示本创作的薄膜形成装置的要部的一实施例的一部份的断面图。第二图系显示管形部材的支撑部份的平面图。第三图系比较本实施例的薄膜形成装置与以往的薄膜形成装置的性能的图。第四图系显示本创作的其它的实施例的一部份的断面图。第五图系显示以往的薄膜形成装置的构成图。第六图系显示在以往的薄膜形成装置中的第2的气体导入装置的详细构造的一部份的断面图。
地址 日本