发明名称 采用软磁防窃元件以用于隐藏串列化之系统
摘要 本发明提供一种特定形式的磁标签,以作为所附着物体之辨识元并作为防窃(antitheft)装置。前属性对于失窃的特性是否回复而言是相当重要的。辨识透过接近放置的个别磁元件阵列之使用而发生,最好是沿着并垂直于一个不定形的线或条状物。磁元件可为磁墨(magnetic ink)、高矫顽磁性线(high coercivity wire)、薄金属片(thin foil)或不定形的线(amorphous wire)之形式。阵列可当其他剩余元件毁损时,由忽略阵列元件或驱动所选的元件至饱和加以个别化(边码)。元件亦可以双阵列的形式建构'1'与'0'以形成一个码。元件的读取由存在之特定读取头或连接至一或多个接收回路(pickup loop)之小磁性电路来完成。当软磁线或细磁条之较长的长度由来自一磁闸的外埸致动时,其用以启动防窃警铃。在特定实施例中,防窃线形成辨识阵列之整合部分。整合辨识及警铃装置可隐藏于一物体中以保护及辨识。在电脑业中如此之物体包括,例如处理器晶片、电路板:如记忆板、及模组:如单一混同记忆体模组(SIMMS,single in-line memory modules)。建立磁码之方法变化说明致动一特定的读取元件以解译编码资讯以辨识制造者、制造日期等等。特定的读取头用以获取经由电脑传送至资料档案之磁资讯。本发明之磁标签之主要特性为可隐藏于例如一电脑之部份元件中。干扰磁标签毁坏其所依附之元件。各种磁效应用以将磁元件功能制造成一个码,包括逆转软磁物质之磁分域应用,以相应一资讯位元及Matteucci效应产生一个脉冲。
申请公布号 TW326514 申请公布日期 1998.02.11
申请号 TW085115802 申请日期 1996.12.20
申请人 万国商业机器公司 发明人 罗伯贾卡伯凡盖特菲德
分类号 G08B13/24 主分类号 G08B13/24
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种系统,用以保护物品避免被窃并用以辨识该物品,包括:一防窃元件;用以提供一辨识码之装置;及用以读取该码之装置,其中该用以读取该码之装置包括该防窃元件。2.根据申请专利范围第1项之系统,其中该用以读取该码之装置包括:用以从该防窃元件产生一参考信号之装置;及一可扫描的磁头,其中该磁头具有激磁及感测线圈,该感测线圈性地置于软磁线的长轴,该感测线圈能够产生相应该辨识码的信号。3.根据申请专利范围第2项之系统,其中该用以产生一参考信号的装置包括激磁及感应线圈,其线性地置于该防窃元件之长轴。4.根据申请专利范围第2项之系统,其中该用以产生一参考信号的装置包括一线圈以激发该防窃元件,且其中该防窃元件呈现Matteucci效应。5.根据申请专利范围第3或4项之系统,其中该用以读取该码之装置尚包括用以测量该参考信号与来自该感测线圈之信号之间的相位差之装置。6.根据申请专利范围第1项之系统,其中该用以读取该码之装置尚包括:用以从该防窃元件产生一参考信号之装置;及一扫描磁头,其中该磁头具有一激磁线圈及一感测元件,且该感测元件为一软磁线,该软磁线呈现Matteucci效应并能够产生相应该辨识码之信号。7.根据申请专利范围第6项之系统,其中该用以产生一参考信号的装置包括激磁及感应线圈,其线性地置于该防窃元件之长轴。8.根据申请专利范围第6项之系统,其中该用以产生一参考信号的装置包括一线圈以激发该防窃元件,且其中该防窃元件呈现Matteucci效应。9.根据申请专利范围第7或8项之系统,其中该用以读取该码之装置尚包括用以测量该参考信号与来自该感测线圈之信号之间的相位差之装置。10.根据申请专利范围第1项之系统,其中该防窃元件为一呈现Matteucci效应之软磁线,该用以提供一辨识码之装置包括一实质上垂直该防窃元件之磁元件阵列,该磁元件的每一个具有一选择的磁阻且该用以读取该码之装置包括:用以施加一平行该磁元件之装置;用以侦测该防窃元件之Matteucci电压之装置。11.根据申请专利范围第10项之系统尚包括用以调变及解调变Matteucci电压之装置。12.根据申请专利范围第10项之系统,其中该用以调变之装置包括施加一ac电流至该Matteucci线之装置。13.根据申请专利范围第1项之系统,其中该防窃元件为一呈现Matteucci效应之软磁线,该用以提供一辨识码之装置包括一导电元件之阵列,每个导电元件具有一可选择的导电率并连接至该防窃元件,且用以读取该码之装置包括:用以施加一ac磁场至该防窃元件之装置;用以循序地测量该防窃元件的一个端点与每个导电元件之间的导电率之装置。14.根据申请专利范围第13项之系统,其中该用以施加一ac磁场之装置平行该防窃元件而施加该磁场。15.根据申请专利范围第13项之系统,其中该用以施加一ac磁场之装置垂直该防窃元件而施加该磁场。图示简单说明:第一图A显示一单一混同记忆体模组(SIMM)之截取上视图,其中SIMM具有一个隐藏于SIMM电路板之薄板(lamination)中的本发明标签。第一图B为第一图A之SIMM侧面图。第二图显示第一图A之隐藏标签,其具有一个磁化硬磁阵列及一个防窃线。亦显示一唯读磁头及读取组件之示意图。第三图显示结合一更详细读取写入感测磁头之示意图之第二图的标签。第四图显示本发明的一个标签,其具有一双列的软磁码元件及一单写双读磁头的示意图。第五图A显示根据本发明的一个具有一硬磁元件阵列之标签,其中防窃线提供一参考信号,由一先进的磁头个别读取,亦具有一作为感测元件一部份之软磁线。第五图B为第五图A标签之感测组件之方块图。第五图C为第五图B感测组件之参考及侦测信号之示意图。第六图A显示第五图A结合一读取头之标签,其中防窃线提供一由直接电子接触所测量的电压脉冲形式之参考信号,而该读取头之感测元件亦提供一组由直接电子接触所测量之电压脉冲。第六图B为第六图A标签之感测组件之方块图。第六图C为第六图B感测组件之参考及侦测信号之示意图。第七图A显示一软磁线之磁滞回路结合一具有小于该线之矫顽磁场(Hc)量的ac磁场。第七图B显示第七图A回路及磁场,具有一外施偏压足以在一个方向磁化该软磁线。第七图C显示一硬磁装置,用以提供第七图B之偏压场。第七图D显示一硬磁装置,用以偏压软磁线,使其每半周ac磁场切换一次。第七图E显示第七图D之另一架构。第七图F显示第七图C之另一架构。第八图A显示本发明的一个标签的架构,利用垂直Matteucci效应以从软磁线中获取编码的资讯,并利用非常接近该线的磁元件。第八图B显示外施一低磁阻路径之垂直磁场所产生的Matteucci电压之示意图。第八图C显示外施一低磁阻路径之第八图B磁场之示意图。第九图A显示第八图标签的架构,此除在接触点的信号感测被调变。第九图B显示外施一低磁阻路径之垂直磁场所产生的调变的Matteucci电压之示意图。第九图C显示解调变后第九图B之信号的示意图。第十图显示本发明的一个标签的架构,其中该码由不同线部分之Matteucci电压测量所提供。第十一图A显示如第五图A之标签实施例,但是其中参考元件系置放于读取组件中。第十一图B显示如第六图A之标签实施例,但是其中参考元件系置放于读取组件中。
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