| 主权项 |
1.一种晶圆处理系统,系藉着运送以黏着剂(23c)将多数片晶圆(22a)黏着在夹持板(23)上的柱形工作物(22)而处理晶圆之系统中,其特征包含:一清洗装置(24),供清洗前述黏着在夹持板(23)状态之晶圆(22a),前述清洗装置包含一第1清洗装置(24a),供将附着在晶圆(22a)上的污物大致去除以预清洗该晶圆(22a),前述清洗装置包含一第2清洗装置(24b),供将附着在预清洗后晶圆(22a)上的污物大致完全去除,前述清洗装置具有一喷射装置(64),供对晶圆(22a)喷出高压温水;一剥离装置(27),供将清洗后呈柱状集合状态之晶圆(22a)从夹持板(23)剥离,此剥离装置兼具第2清洗装置(24b)之功能者,此剥离装置包含:储放加热液体之一清洗槽(71),供前述晶圆(22a)与夹持板(23)同时浸泡在清洗槽(71)内的液体中;及安置在前述清洗槽(71)内之超音波产生装置(78),超音波产生装置(78)所产生之超音波可将附着在晶圆(22a)的污物除去,并使夹持板(23)与晶圆(22a)之间的黏着剂膨润或溶化,使晶圆(22a)从夹持板(23)剥离;及一运送装置(32.34.35.36.38),供将前述晶圆(22a)从前述清洗装置(24)朝剥离装置(27)运送。2.一种晶圆处理系统,系藉着运送以黏着剂(23c)将多数片晶圆(22a)黏着在夹持板(23)上的柱形工作物(22)而处理晶圆之系统中,其特征包含:一清洗装置(24),供清洗前述黏着在夹持板(23)状态之晶圆(22a),前述清洗装置包含一第1清洗装置(24a),供将附着在晶圆(22a)上的污物大致去除以预清洗该晶圆(22a),前述清洗装置包含一第2清洗装置(24b),供将附着在预清洗后晶圆(22a)上的污物大致完全去除,前述清洗装置具有一喷射装置(64)供对晶圆(22a)喷出高压温水;一剥离装置(27),供将清洗后呈柱状集合状态之晶圆(22a)从夹持板(23)剥离,其中剥离装置具有:一箱(200),供收容黏着在夹持板(23)状态的晶圆(22a);一蒸气供应装置(206.206a、208),供将蒸气供应至箱(200)内,供应于箱(200)内之蒸气可软化夹持板(23)与晶圆(22a)之间的黏着剂(23c);及一运送装置(32.34.35.36.38),供将前述晶圆(22a)从前述清洗装置(24)朝剥离装置(27)运送。3.如申请专利范围第2项所记载之处理系统,其中前述蒸气供应装置具有一喷射喷嘴(206a),供朝着夹持板与晶圆间的黏着剂喷射蒸汽。4.如申请专利范围第2项所记载之处理系统,其中前述剥离装置更具有一振动赋与装置(202),供振动夹持板及晶圆。5.如申请专利范围第2项所记载之处理系统,其中前述蒸气供应装置系可将一有机溶剂混入蒸气中者以促进黏着剂软化。6.如申请专利范围第1-5项任一项所记载之处理系统,其中更具有:一预备清洗装置(21),供在清洗装置(24)清洗晶圆之前,可预先清洗其晶圆,及前述运送装置可将晶圆从预备清洗装置(21)运送至清洗装置(24)者。7.如申请专利范围第6项所记载之处理系统,其中前述预备清洗装置具有一清洗槽(42)供储留液体,且前述晶圆系浸泡于清洗槽(42)内之液体中。8.如申请专利范围第7项所记载之处理系统,其中前述预备清洗装置具有一气泡产生装置(47),供产生气泡于清洗槽(42)内的液体中。9.如申请专利范围第1-5项任一项所记载之处理系统,其中更具有一分离储存装置(28),供将柱状集合状态之晶圆(22a)各片予以分开而储存在容器(29.295)内。10.如申请专利范围第9项所记载之处理系统,其中更具有:一最终清洗装置(30),供前述分离储存装置(28)于晶圆(22a)在储存在容器(29.295)内的状态下,进行最终清洗;及,前述运送装置系将储存晶圆之容器自分离储存装置(28)运送至最终清洗装置(30)。11.如申请专利范围第10项所记载之处理系统,其中前述最终清洗装置具有复数个清洗装置(30a、30b、30c),供进行复数次晶圆及容器清洗工程。12.如申请专利范围第10项所记载之处理系统,其中前述最终清洗装置具有储留温水之一清洗槽(113.122),前述晶圆系与容器同时浸泡在清洗槽内温水中的状态下加以清洗者。13.如申请专利范围第12项所记载之处理系统,其中前述最终清洗装置具有一超音波产生装置(118.127)安装在清洗槽(113.122)内,且晶圆及容器系利用超音波产生装置所产生之超音波予以清洗者。14.如申请专利范围第12项所记载之处理系统,其中前述运送装置可将最终清洗装置(30)清洗之晶圆与容器同时从温水中取出。15.如申请专利范围第14项所记载之处理系统,其中更具有:一乾燥装置(31),供将前述最终清洗装置清洗之晶圆与容器同时乾燥;及,前述运送装置系可将储存晶圆之容器自最终清洗装置取出后运送至乾燥装置(31)。16.如申请专利范围第1-5项任一项所记载之处理系统,其中更具有一支持器(26),供运送支持于夹持板上的晶圆;前述清洗装置(27)系可清洗安置于支持器上之晶圆;及,前述剥离装置(27)可自夹持板将晶圆剥离者。17.如申请专利范围第16项所记载之处理系统,其中前述支持器具有一支持装置(55.57.59.60)供定位从夹持板剥离后之晶圆。18.如申请专利范围第17项所记载之处理系统,其中前述支持装置具有一对限制构件(59),供从其两端面侧夹持晶圆群、防止重叠状态晶圆倾倒。19.如申请专利范围第18项所记载之处理系统,其中前述支持装置更具有一调节装置(57.60),供对应晶圆群两端面间的尺寸而调整两限制构件(59)间隔。20.如申请专利范围第19项所记载之处理系统,其中更具有一测定装置(51),供测定晶圆群两端面间尺寸。21.如申请专利范围第20项所记载之处理系统,其中前述测定装置包含一超音波测感器(51)。22.如申请专利范围第16项所记载之处理系统,其中更具有:一分离储存装置(28),供将柱状集合状态的晶圆(22a)各片分开后储存于容器(29.295)内;及,一第1运送装置(34),供于清洗装置(24)、剥离装置(27)、及分离储存装置(28)之间运送晶圆支持器(26)。23.如申请专利范围第22项所记载之处理系统,其中前述分离储存装置可将重叠之晶圆从最上层各片分开,使其在轴线方向呈垂直延伸的状态,前述运送装置具一定位变更装置(35),可供变更运送至分离储存装置内支持器的定位、使支持器内晶圆群的轴线朝大致垂直方向延伸。24.如申请专利范围第9项所记载之处理系统,其中前述运送装置具有一运送装置(38),其除可将空容器运入分离储存装置外,并可从分离储存装置将储存晶圆的容器运出。25.如申请专利范围第1-5项任一项所记载之处理系统,其中更具有一检测装置,供检测从夹持板剥离后晶圆中的破裂晶圆。26.如申请专利范围第25项所记载之处理系统,其中前述检测装置具有:储留液体之一槽(221);一支持构件(216),供将复数片重叠状态下晶圆安置于特定位置,支持构件系浸泡于槽内的液体中;及,使槽内液体流动之一装置(222),前述支持构件上之破裂晶圆系可随液体的流动而从特定位置排出者。27.如申请专利范围第9项所记载之处理系统,其中前述分离储存装置系可藉水流分开各晶圆者。28.如申请专利范围第27项所记载之处理系统,其中前述分离储存装置具有:一上升装置(86.240.243.246),使层积状态之复数片晶圆上升,上升装置可使最上层晶圆上升至预定的分开位置;一喷射装置(99.285),供对最上层晶圆上表面喷射液体,将位于前述分开位置上的晶圆与其他晶圆分开;及,一运送装置(99.111.285.287),供利用液体的流动使分开后的晶圆朝容器(29.295)的第1方向运送。29.如申请专利范围第28项所记载之处理系统,其中前述喷射装置(99.285)系自第1方向(A)之斜上方喷射液体至偏离中心位置,藉此使最上层之晶圆朝单方向转动者。30.如申请专利范围第28项所记载之处理系统,其中前述分离储存装置包含一推出装置(105.251),于喷射装置(99.285)喷射液体前,供接触最上层晶圆而将该晶圆朝第1方向(A)推出之。31.如申请专利范围第30项所记载之处理系统,其中前述推出装置具有:可接触最上层晶圆上表面的一滚子(109);一升降装置(106.107.108),供使该滚子在接触最上层晶圆的第1位置与远离该晶圆之第2位置间升降;及,一旋转装置(110),供转动第1位置的滚子使最上层之晶圆朝第1方向(A)推出。32.如申请专利范围第30项所记载之处理系统,其中前述推出装置具有:可接触最上层晶圆上表面之一弹性体(262);一移动装置(257.260.268),供使该弹性体朝着与第1方向(A)及第1方向相反之第2方向移动;及,一升降装置(256.257a),在接触最上层晶圆的1位置与远离该晶圆之第2位置间,供前述弹性体升降,在弹性体朝着第1方向移动时,由于最上层晶圆被朝着第1方向推出,而使得弹性体下降至第1位置,当弹性体朝第2方向移动时则使得弹性体上升至第2位置。33.如申请专利范围第28项所记载之处理系统,其中前述分离储存装置更具有:一停止器(111.302),供仅容许最上层晶圆朝第1方向(A)移动、而阻止其他晶圆朝第1方向移动;及,一调节装置(246.247-250.283.301;247-250.310),供调节层积晶圆的倾斜、使最上层晶圆不致干涉停止器、并可利用停止器阻止其晶圆他朝第1方向移动。34.如申请专利范围第33项所记载之处理系统,其中前述停止器具有一上缘(111a、287a),供容许最上层晶圆朝第1方向移动,前述倾斜调节装置可调节层积晶圆的倾斜,使最上层之晶圆相对于停止器上缘呈大致平行者。35.如申请专利范围第34项所记载之处理系统,其中前述停止器之上缘(111a、287a)被设置与水平面大致呈平行,前述倾斜调节装置则可调节层积晶圆的倾斜,使最上层晶圆对水平面呈大致平行者。36.如申请专利范围第34项所记载之处理系统,其中前述倾斜调节装置包含:支持层积晶圆之一支持面;一倾动机构(301),供倾动该支持面调节其支持面之水平倾斜角度;一检测装置(247-250),其对向配置在最上层晶圆上方,供检测晶圆上面倾斜度;及,一控制装置(283),根据其检测装置之检测结果,其控制前述倾动机构(301),使最上层晶圆相对于停止器上缘(111a、287a)呈大致平行。37.如申请专利范围第34项所记载之处理系统,其中前述倾斜调节装置包含:一支持体(310),其以可自由倾动方式支持层积晶圆;及,一限制装置(247-250),其相对位于最上层晶圆上面、并接触晶圆上表面,供使同一晶圆相对于停止器上缘(111a、287a)大致呈平行。38.如申请专利范围第28项中任一项所记载之处理系统,其中前述分离储存装置更具有:储留液体之一槽(83.230),前述上升装置(86.240.243.246)系于槽内之液体中支持层积晶圆;及,一推压装置(284),前述上升装置使层积晶圆上升时,藉液体的喷射,推压最上层晶圆上面而可藉此防止层积晶圆上浮。39.如申请专利范围第28项中任一项所记载之处理系统,其中前述分离储存装置更具有:为了使分开之最上层晶圆朝容器(29.295)引导,前述运送装置(99.111;285.287)包含一升降台(111.287)配置于前述上升装置(86.240;243.246)与容器间;前述容器具有复数个储存置架(29a、297),供区分从升降台运送而至之各晶圆、并予以分别储存;及,一升降装置(92.289),在储存置架每储存一晶圆时,升降装置(92.289)可使容器上升或下降一相当于储存置架配列间隔节距。40.如申请专利范围第28项中任一项所记载之处理系统,其中前述分离储存装置更具有:一支持台(96),其以可自由转动方式支持前述容器;使该支持台升降之一升降装置(92);与前述支持台相对配置之一导板(371);及,一辊轮机构(370.372.377-382;370.390.395-397),设于支持台与导板间,随着支持台的昇降,该辊轮机构系使该支持台在预定角度的范围内旋转。41.如申请专利范围第40项所记载之处理系统,其中前述辊轮机构具有:安排于导板上之一导槽(372.390);一滚子(370),设置于支持台而嵌合于导槽中,随着支持台的升降,滚子(370)沿着导槽移动;及,复数个控制杆(377-382.395-397),复数个控制杆呈可自由旋转方式连结于导板,以切换导槽内滚子(370)的移动路径。42.如申请专利范围第28项中任一项所记载之处理系统,其中前述分离储存装置更具有一装置(196),将液体朝分开之最上层晶圆下表面喷射,藉此提高该晶圆。43.如申请专利范围第1-5项中任一项所记载之处理系统,其中更具有一控制装置(40),可根据预先设定的程式,供控制前述清洗装置(24)、剥离装置(27)及运送装置(32、34.35.36.38)动作。44.如申请专利范围第9项所记载之处理系统,其中更具有一控制装置(40),可根据预先设定的程式,供控制前述清洗装置(24)、剥离装置(27)、分离储存装置(28)及运送装置(32.34.35.36.38)动作。45.如申请专利范围第10项所记载之处理系统,其中更具有一控制装置(40),可根据预先设定的程式,供控制前述清洗装置(24)、剥离装置(27)、分离储存装置(28)、最终清洗装置(30)及运送装置(32.34.35.36.38)动作。46.如申请专利范围第15项所记载之处理系统,其中更具有一控制装置(40),可根据预先设定的程式,供控制前述清洗装置(24)、剥离装置(27)、分离储存装置(28)、最终清洗装置(30)、乾燥装置(31)及运送装置(32.34.35.36.38)动作。47.一种晶圆处理系统,系藉运送以黏着剂(23c)将多数片晶圆(22a)黏着在夹持板(23)上的柱形工作物(22)而处理晶圆之系统中,其特征包含:一清洗装置,供清洗黏着在夹持板(23)状态下的晶圆(22a),前述清洗装置包含一第1清洗装置(24a),供将附着在晶圆(22a)上的污物大致去除以预清洗该晶圆(22a),前述清洗装置包含一第2清洗装置(24b),供将附着在预清洗后晶圆(22a)上的污物大致完全去除,前述清洗装置具有一喷射装置(64),供对晶圆(22a)喷出高压温水;一剥离站,供将清洗后呈柱形集合状态的晶圆(22a)从夹持板(23)剥离,此剥离站兼具第2清洗装置(24b)之功能者,此剥离站包含:储放加热液体之一清洗槽(71),供前述晶圆(22a)与夹持板(23)同时浸泡在清洗槽(71)内的液体中;及安装在前述清洗槽(71)内之一超音波产生装置(78),超音波产生装置(78)所产生之超音波可将附着在晶圆(22a)的污物除去,并使夹持板(23)与晶圆(22a)之间的黏着剂膨润或溶化,使晶圆(22a)从夹持板(23)剥离;及,一分开收容站,供将集合成柱状状态之晶圆(22a)各片分开而收容于一容器(29.295)。图示简单说明:第一图系表示本发明处理系统1实施形态之概略前视图。第二图为表示处理系统之概略俯视图。第三图是表示处理系统第1-第4工程之透视图。第四图是表示处理系统第5-第8工程之透视图。第五图是表示处理系统第1工程之构成图。第六图是表示处理系统第2工程之构成图。第七图是表示处理系统第3工程之构成图。第八图是表示处理系统第4工程之构成图。第九图是表示处理系统第5工程及第6工程之构成图。第十图是表示处理系统第7工程之构成图。第十一图是表示处理系统第8工程之构成图。第十二图为使用于处理系统之第1匣体之纵剖视图。第十三图为第十二图之13-13线剖视图。第十四图是表示处理系统之第4工程构成之透视图。第十五图是表示处理系统之第2运送装置构成之前视图。第十六图为第十五图之16-16线剖视图。第十七图系表示第2运送装置动作之前视图。第十八(a)图为表示切断加工前工作物之透视图。第十八(b)图为表示切断加工后工作物之透视图。第十九图为线锯之概略侧视图。第二十图是表示本发明第2实施形态分离辊子之扩大剖视图。第二一图是表示本发明第3实施形态分离储存装置之部份透视图第二二图是表示本发明第4实施形态剥离装置之前剖视图。第二三图为第二二图剥离装置之侧剖视图。第二四图系表示本发明第5实施形态剥离装置概略之部份前剖视图。第二五图系表示本发明第6实施形态剥离装置概略之部份侧剖视图。第二六图系表示本发明第7实施形态检测装置/收容器具之透视图。第二七图为收容器具之前剖视图。第二八图为检测装置之侧剖视图。第二九图是表示检测装置作用前之剖视图。第三十图是表示检测装置作用后之剖视图。第三一(a)图系表示本发明第8实施形态检测装置之概略前视图。第三一(b)图系表示以检测装置检测晶圆破裂之动作概略前视图。第三二图系表示本发明第9实施形态分离储存装置之前剖视图。第三三图为分离储存装置之上剖视图。第三四(a)、(b)、(c)图是表示晶圆倾斜调节时之动作说明图。第三五图为分开辅助机构之部份剖视图。第三六图为分开辅助机构部份省略之前视图。第三七图为沿第三六图之37-37线之剖视图。第三八图是表示转动凸轮及支持杆之分解透视图。第三九(a)图系表示切断后晶圆之前视图。第三九(b)图系表示从夹持板剥离之晶圆之前视图。第四十图系表示第9实施形态变化例之概略俯视图。第四一图系表示第9实施形态变化例之概略俯视图。第四二图是表示第10实施形态分开辅助机构之概略俯视图。第四三图是表示第11实施形态倾动机构部份之前剖视图。第四四图是表示第12实施形态倾斜调装置之部份前剖视图。第四五(a)、(b)、(c)图是表示晶圆倾斜调节时之动作说明图。第四六图为表示本发明第13实施形态分离储存装置之部份透视图。第四七图为表示本发明第14实施形态匣体夹持机构之部份透视图。第四八(a)、(b)图是表示导片之动作前视图。第四九图为表示本发明第15实施形态导片之前视图。 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