发明名称 | 阴极构成体的结构及电子发射体的涂布方法 | ||
摘要 | 本发明之目的在于,将电子发射物质的涂布密度提高约2倍以上。为达此目的,采用在气体金属表面上,在形成电子发射体时,多次交替地涂布电子发射物质和活性化金属的方法,作成多段积层式以构成电子发射体。在其内插设有阴极加热用的灯丝(104)的圆筒形阴极附属件(103)上段,设置为提供电子发射体(107)的气体金属(102),在上述气体金属(102)上表面上设置多段涂布活性化金属(105)和电子放射物质的电子发射体(107)。 | ||
申请公布号 | CN1173036A | 申请公布日期 | 1998.02.11 |
申请号 | CN96120538.5 | 申请日期 | 1996.12.10 |
申请人 | LG电子株式会社 | 发明人 | 李庆相 |
分类号 | H01J1/20;H01J1/14;H01J9/02;H01J29/04;H01J29/48 | 主分类号 | H01J1/20 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余朦 |
主权项 | 1.一种阴极构成体的结构,具备设置了阴极加热用的灯丝的圆筒形阴极附属件,在上述阴极附属件上段涂布了电子发射体的气体金属,其特征在于,上述气体金属上表面涂布的电子发射体是将活性化金属与电子发射物质多段积层设置的。 | ||
地址 | 韩国汉城市 |