短相干长度半导体集成光源

摘要

本发明为一种半导体双异质结发光器件。其结构包括在GaAs或InP单晶片衬底(2)上外延生长出下限制层(3)、有源层(4)、上限制层(5)、盖层(6)以及发光管上电极(7)、电流注入条区(8)构成发光管(9)部分,同样的外延层及锥形电流注入区(22)、放大器上电极(13)构成行波放大器(11)部分。两部分串接且有各自的电流注入区,构成本发明的半导体集成光源。两部分可用同样工艺过程同时完成。可以大幅度提高输出光功率,且工艺简单、共容性好。

主权项

1.一种短相干长度半导体集成光源，由衬底(2)、衬底(2)下表面上的下电极(1)、衬底(2)上表面顺次生长的下限制层(3)、有源层(4)、上限制层(5)、盖层(6)、以及发光管上电极(7)、窄条形的电流注入条区(8)等结构构成发光管(9)部分，本发明的特征在于，在发光管(9)的一侧端面是自然解理面或镀膜面(10)；在发光管(9)的另一侧端面串接有行波放大器(11)，行波放大器(11)具有与发光管(9)相同的外延层结构和同一个下电极(1)，其上表面有放大器的上电极(13)，其出光端面有抗反射膜(12)；行波放大器(11)具有锥形电流注入区(22)，锥形的细端正好跟发光管(9)的电流注入条区(8)对接，锥形的宽端为行波大器(11)的出光端面。