发明名称 Digital memory element
摘要 Von Digitalen Speicherelementen wird neben geringer Größe vor allem eine hohe Geschwindigkeit der Ein- und Auslesevorgänge verlangt. Halbleiterspeicher erreichen zwar hohe Speicherdichte, aber nur Bruchteile von GHz. Bekannte Speicherelemente mit einer Speicherkapazität und mehreren Röhren, von denen wenigstens eine mit Elektronenstrahlablenkung gesteuert ist, sind nur eine Größenordnung schneller und zu groß. Ein Digitalspeicherelement mit Röhren, das noch um wenigstens eine weitere Größenordnung schneller und kleiner ist, besteht aus drei miniaturisierten Elektronenröhren, hergestellt durch konventionelle und additive Lithographie, bei denen eine kleine Speicherkapazität mit der Anode der Einschreib-Röhre, mit der Kathode einer Lösch-Röhre und mit einem Ablenkelement einer Auslese-Röhre verbunden ist, welche den Elektronenstrahl, je nach Ladezustand, auf einen von zwei Detektoren lenkt. Die Anwendung solcher Digitalspeicherelemente ist bei allen bekannten Einsatzmöglichkeiten vorteilhaft und es werden durch die vorteilhaften Herstellungsmöglichkeiten und Eigenschaften weitere neue Einsatzgebiete erschlossen. <IMAGE>
申请公布号 EP0823711(A2) 申请公布日期 1998.02.11
申请号 EP19970104920 申请日期 1997.03.22
申请人 DEUTSCHE TELEKOM AG 发明人 KOOPS, HANS W.P., DR.;HANKE, GERHARD, DIPL.-ING.
分类号 G11C11/30;H03K19/06;(IPC1-7):G11C11/30 主分类号 G11C11/30
代理机构 代理人
主权项
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