用以形成半导体装置的中间层绝缘薄膜的方法

摘要

一种用以形成半导体装置的中间层绝缘薄膜的方法被揭示。第一中间层绝缘薄膜被沉积在一具有高的阶梯元件区域与低的阶梯周边区域之半导体装置的整个上表面之上,接着做热处理。较该第一中间层绝缘薄膜更能抵抗蚀刻的第二中间层绝缘薄膜被沉积。再者,第三中间层绝缘薄膜被沉积,接着做热处理。这些中间层绝缘薄膜系借助于一CMP制程而被平坦化。在该CMP制程中,该第一中间层绝缘薄膜被快速蚀刻,而该第二中间层绝缘薄膜则被缓慢除去。

主权项

1.一种用以形成半导体装置的中间层绝缘薄膜的方法，其系包含步骤为：提供一在元件与周边区域上形成有一较低结构层的半导体基板；在该较低结构层的整个上表面之上形成一第一中间层绝缘薄膜并且将该第一中间层绝缘薄膜做热处理；将一第二中间层绝缘薄膜形成在该第一中间层绝缘薄膜之上；将一第三中间层绝缘薄膜形成在该第二中间层绝缘薄膜之上并且将该第三中间层绝缘薄膜做热处理；以及将该第一、第二与第三之中间层绝缘薄膜蚀刻以平坦化。