| 发明名称 | 制备多硅化物栅极的方法 | ||
| 摘要 | 这里提供一种能使侧壁侵蚀减到最低的制备多硅化物栅极的方法。按此法首先在一个半导体衬底上依先后次序制备一层栅绝缘膜,一层多晶硅膜,和一层硅化物膜。而在硅化物膜上制备一掩模层。随后用一种氯氧混合气蚀刻硅化物膜和多晶硅膜。此处氧气最好包含蚀刻气体总量的10%到30%。 | ||
| 申请公布号 | CN1172343A | 申请公布日期 | 1998.02.04 |
| 申请号 | CN97111174.X | 申请日期 | 1997.05.14 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 辛和叔;池京求;郑灿旭 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/71 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.形成一多硅化物栅极的方法，包括以下步骤：按次序先后在一半导体衬底上形成栅氧化层，多晶硅膜，和硅化物膜；在所述的硅化物膜上形成掩模层；以及用氯气和氧气的混合气作蚀刻气体，蚀刻所述的硅化物膜与多晶硅膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||