具有“金属上的电容器”结构的半导体器件的制造方法

摘要

具有“金属上的电容器”的半导体器件的形成方法,包括形成连接有源区的位线。用第一绝缘材料形成第一覆盖层。用不同刻蚀率的第二绝缘材料形成第一层间介质膜。用第三绝缘材料形成第二覆盖层。依次形成连接有源区的第一接触孔和用于局部互连的第二接触孔。淀积金属充填第一和第二接触孔形成栓和布线层。用第四绝缘材料只在周边电路区内形成第二层间绝缘膜,其刻蚀率与第三绝缘材料不同。形成存储电极、介质膜及平板电极。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，包括下述步骤：形成连接到半导体衬底的有源区的位线，该半导体衬底具有形成于单元阵列区和周边电路区内的并被层间介质膜覆盖的晶体管；使用第一绝缘材料在由此得到的结构上淀积金属形成用于覆盖位线的第一覆盖层；使用其刻蚀率不同于第一绝缘材料的第二绝缘材料在由此得到的结构的整个表面上形成用于露出第一覆盖层的上表面的第一层间介质膜；使用第三绝缘材料在第一覆盖层和第一层间介质膜上形成第二覆盖层；使用光刻工艺同时在单元阵列区中形成用于以导电方式连接到半导体衬底的有源区的存储接触的第一接触孔和在周边电路区中形成用于局部互连的金属接触的第二接触孔；通过在由此得到的结构的整个表面上淀积金属形成导电层以充填第一和第二接触孔；通过在除充填于单元阵列区内的第一接触孔中的部分之外的区域内除去导电层，形成第一接触孔内的栓，并通过对周边电路区内的导电层进行图形刻蚀，形成第二接触孔的上部上的布线层；使用其刻蚀率不同于第三绝缘材料的第四绝缘材料在由此得到的结构中只在周边电路区内形成第二层间介质膜；在单元阵列区的栓上部的上面形成由第一导电材料构成的存储电极；在存储电极的表面上形成介质膜；和在该介质膜上形成由第二导电材料构成的平板电极。