Doped silicon substrate

摘要

Es wird vorgeschlagen, die als Diffusionsbarriere für Dotierstoffe dienende Siliziumoxidschicht 3 zwischen Siliziumsubstrat 1 und Polysiliziumschicht 4 anzuordnen. Dadurch sind keine Zusatzmaßnahmen zur Vermeidung des Autodopingeffekts erforderlich und die getternde Wirkung der Polysiliziumschicht 4 auf der Siliziumsubstratrückseite 2 bleibt erhalten. <IMAGE>