发明名称 半导体加速度传感器
摘要 采用化学蚀刻加工方法,以形成具有扩散电阻的薄壁部分的半导体加速度传感器,扩散电阻用来检测位移造成的电阻阻值变化,在切割刮刀上利用电蚀现象和切割磨料颗粒的电泳现象,以消除加工蜕化或微裂缝问题。
申请公布号 CN1171554A 申请公布日期 1998.01.28
申请号 CN97102821.4 申请日期 1997.02.21
申请人 株式会社精工电子研究开发中心 发明人 新荻正隆;齐藤丰;加藤健二
分类号 G01P15/08;H01L49/00 主分类号 G01P15/08
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 吴增勇;萧掬昌
主权项 1.一种制造具有半导体加速度传感器的半导体器件的方法,其特征在于它包括以下步骤:在半导体衬底上形成扩散电阻,用机械切割方法减薄具有扩散电阻的所述半导体衬底的背面,形成具有所述半导体衬底的扩散电阻的元件区,形成用来固定所述元件端部的支持体,以及在用机械切割方法减薄所述半导体衬底扩散电阻的背面过程中,在所述机械切割过程中,把电蚀应用于切割刮刀和使磨料颗粒带电。
地址 日本千叶县