发明名称 | 半导体加速度传感器 | ||
摘要 | 采用化学蚀刻加工方法,以形成具有扩散电阻的薄壁部分的半导体加速度传感器,扩散电阻用来检测位移造成的电阻阻值变化,在切割刮刀上利用电蚀现象和切割磨料颗粒的电泳现象,以消除加工蜕化或微裂缝问题。 | ||
申请公布号 | CN1171554A | 申请公布日期 | 1998.01.28 |
申请号 | CN97102821.4 | 申请日期 | 1997.02.21 |
申请人 | 株式会社精工电子研究开发中心 | 发明人 | 新荻正隆;齐藤丰;加藤健二 |
分类号 | G01P15/08;H01L49/00 | 主分类号 | G01P15/08 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴增勇;萧掬昌 |
主权项 | 1.一种制造具有半导体加速度传感器的半导体器件的方法,其特征在于它包括以下步骤:在半导体衬底上形成扩散电阻,用机械切割方法减薄具有扩散电阻的所述半导体衬底的背面,形成具有所述半导体衬底的扩散电阻的元件区,形成用来固定所述元件端部的支持体,以及在用机械切割方法减薄所述半导体衬底扩散电阻的背面过程中,在所述机械切割过程中,把电蚀应用于切割刮刀和使磨料颗粒带电。 | ||
地址 | 日本千叶县 |