半导体存储器件

摘要

一种半导体存储器,包括一由双极晶体管构成的电流驱动晶体管,其连接到相应的位线以增加位线电流。该电流驱动晶体管的收集极由一个接地的阱构成,基极由二个相邻选行晶体管的公共漏区构成。其发射极是一与第一层间隔离层及第二层间隔离层分开排列的多晶硅层,它通过接触孔同时被接到基区和位线。该发射极是形成在作为二个相邻选行晶体管公共漏区的基区中的一个掺杂区。这种存储器件具有提高运行速度和提高集成度的能力。

主权项

1.一种半导体SRAM单元电路，它包含一个位线、一个反位线和一个字线，其特征在于还包括：一个第一电流驱动晶体管，它有一个发射极、一个收集极和一个基极，其发射极与所述位线相连接；一个第二电流驱动晶体管，它有一个发射极、一个收集极和一个基极，其发射极与所述反位线相连接；一个数据锁存单元，它有一个第一节点和一个第二节点，并以第一节点和第二节点之间电位差的形式来储存数据；一个连接在所述第一电流驱动晶体管基极和所述数据锁存单元第一节点之间、并根据所述字线的信号而在“通”与“断”之间转换的第一存取晶体管；以及一个连接在所述第二电流驱动晶体管基极和所述数据锁存单元第二节点之间、并根据所述字线的信号而在“通”与“断”之间转换的第二存取晶体管。