半导体器件的制造方法

摘要

制造具有NPN双极晶体管的半导体器件的方法。该方法包括:在衬底上形成N型收集极层;再在其上的一个区域内形成P型防漏电层;在所述衬底的表面区域内形成氧化物隔离层使其与防止漏电层相接触;在N型收集极层的表面侧形成P型基极层、使其至少有一侧面部分与氧化物隔离层及防止漏电层相接触;在P型基极层的表面侧形成N型发射极层;以及在所述P型基极层上未与N型发射极层接触的区域内形成P型基极接触层。

主权项

1.一种制造带有一个NPN双极晶体管的半导体器件的方法，所述NPN双极晶体管有一个N型发射极层、一个P型基极层、一个P型基极接触层、一个N型收集极层以及一个形成在P型半导体衬底上的氧化物隔离层，其特征在于包括下列步骤：在所述半导体衬底内形成所述N型收集极层；在所述N型收集极层介于将要形成所述P型基极层的区域和将要形成所述氧化物隔离层的区域之间的那部分内，形成一个发射极-收集极间P型防止漏电层，以防止在所述N型发射极层和所述N型收集极层之间产生漏电流；在所述半导体衬底的表面区域内，形成所述氧化物隔离层，使它与所述发射极-收集极间P型防止漏电层相接触；在所述N型收集极层的表面侧上形成所述P型基极层，使它至少有一侧面部分与所述氧化物隔离层以及所述发射极-收集极防止漏电层相接触；在所述P型基极层的表面侧上形成所述N型发射极层，使它至少有一侧面部分同所述氧化物隔离层相接触；以及在所述P型基极层未与所述N型发射极层相接触的区域内，形成一个P型基极接触层。