SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH LOW CONTACT RESISTANCE TO HIGHLY DOPED REGIONS

摘要

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit niedrigem Kontaktwiderstand zu hochdotierten oder silizierten Gebieten (2) in einem Halbleiterkörper (1). Hierzu werden in das hochdotierte oder silizierte Gebiet (2) im Bereich eines Kontaktloches (4) Fluorionen implantiert, bevor im Bereich des Kontaktloches (4) auf das hochdotierte oder silizierte Gebiet (2) eine Titanschicht (6, 7) aufgetragen wird. Durch das Fluor können im Kontaktlochbereich gegebenfalls vorhandene Oxidschichten durch weniger Titan aufgebrochen werden, so dass eine dünnere Titanschicht ausreichend ist. Ausserdem wird die Bildung von Titansilizid im Kontaktloch (4) begünstigt.