Verfahren zur Herstellung von integrierten Schaltkreisen unter Einsatz einer Maske,申请号DE19936013797T-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung von integrierten Schaltkreisen unter Einsatz einer Maske
摘要
申请公布号	DE69313797(T2)	申请公布日期	1998.01.22
申请号	DE19936013797T	申请日期	1993.12.02
申请人	AT & T CORP., NEW YORK, N.Y., US	发明人	CUTHBERT, JOHN DAVID, BETHLEHEM, PENNSYLVANIA 18017, US;FAVREAU, DAVID PAUL, COOPERSBURG, PENNSYLVANIA 18036, US
分类号	H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/312;H01L21/3213;(IPC1-7):G03F7/09	主分类号	H01L21/302
代理机构		代理人
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