| 主权项 |
1.一种液晶显示元件,其特征系具备:形成有第1电极(13)之第1基板(11);形成有面对于上述第1电极(13)的第2电极(17)之第2基板(12);形成在上述第1基板(11)与第1电极(13)上面,在第1方向(21D)被加以第1配向处理,并在与上述第1方向(21D)相反的第2方向(21C),而重叠于第1配向处理,被加上第2配向处理之配向膜(18);及配置在上述配向膜(18)与上述第2基板(12)间,具有蝶状结晶相之液晶(21)者。2.如申请专利范围第1项所示之液晶显示元件,其特征为:上述配向膜(18)系在与上述蝶状结晶相液晶(21)所具有的层列构造之层法线在实质上平行的第1方向(21D),被加上第1配向处理,并在与上述第1方向(21D)相反的第2方向(21C),而重叠于第1配向处理被加上第2配向处理者。3.如申请专利范围第1项所示之液晶显示元件,其特征系备:形成在上述第2电极(17)与上述第2基板(12)上面之第2配向膜(19)者。4.一种液晶显示元件,其特征系具:形成有第一电极(13)之第1基板(11);形成有面对于上述第1电极(13)的第2电极(17)之第2基板(12);配置在第1与第2基板(11.12)之间,具蝶状结晶相之层列构造,可随着上述第1电极(13)与第2电极(17)间所加电压,其液晶分子会大致排列成第1配向方向(21A)之第1配向状态,及其液晶分子会大致排列成第2配向方向(21B)之第2配向状态;以及其液晶分子的平均排列方向会分别配向于上述第1配向方向(21A)与第2配向方向(21B)间之任意方向的中间配向方向之中间配向状态之液晶(21);形成在上述第1基板(11)与第1电极(13)上面,可将实质上相同的弹性系数加在对上述液晶(21)所具有层列构造的层法线向右侧倾斜之液晶分子与向左侧倾斜之液晶分子,而当不同极性、同一大小之电压加在上述液晶时,可给与液晶分子获得在实质上相同的倾斜角之配向膜(18);及将上述第1与第2基板(11、12)夹在中间设置于其外侧,其光轴(23A)设定于与上述液晶(21)的层列构造之层法线在实质上平行的方向之一偏光板(23),及其光轴(24A)设定于和上述一偏光板(23)的光轴(23A)成正交或平行之另一偏光偏(24)者。5.如申请专利范围第4项所示之液晶显示元件,其特征为:上述配向膜(18)系在于与上述蝶状结晶相的层列构造之层法线在实质上平行的第1方向(21D),被加上第1配向办理,并在与上述第1方向(21D)相反的第2方向(21C),而重叠于第1配向处理被加上第2配向处理而形成者。6.如申请专利范围第5项所示之液晶显示元件,其特征为并具;在上述第2电极(17)上所形成之第2配向膜(19)者。7.一种液晶显示元件,其特征系具:形成有第1电极(13)之第1基板(11);形成有面对于上述第1电极(13)的第2电极(17)之第2基板(12);被封闭在上述第1与第2基板(11.12)之间,具有蝶状结晶相之液晶(21);及至少形成在上述第1基板(11)与上述第2基板(12)的相面对之一面,可给与上述液晶(21)获得1以下前倾角之配向膜(18)者。8.如申请专利范围第7项所示之液晶显示元件,其特征为:上述配向膜(18)系经交替在相反方向施加偶数次之配向处理,以使其可给与上述液晶(21)获得1以下之前倾角者。9.一种液晶显示元件其特征系具备:形成有第1电极(13)之第1基板(11);形成有面对于上述第1电极(13)的第2电极(17)之第2基板(12);至少形成在上述第1基板(11)与上述第2基板(12)的相面对之一面,其厚度形成为70nm以下厚度之配向膜(18);及被封闭在上述第1与第2基板(11.12)之间,至少具有强诱电介质相的具蠂状结晶相之液晶(21)者。10.如申请专利范围第9项所示之液晶显示元件,其特征为:上述配向膜(18)系形成为(10)nm以上之厚度者。11.如申请专利范围第9项所示之液晶显示元件,其特征为:上述液晶(21)系由具强诱电介质相与具反强诱电介质相之液晶一起所构成者。12.如申请专利范围第10项所示之液晶显示元件,其特征为:上述配向膜系分别形成在上述第1基板(11)与上述第2基板(12)的相面对之各面上,并各形成为35nm以下之厚度者。13.如申请专利范围第12项所示之液晶显示元件,其特征为:各上述配向膜(18)系各形成为10nm以上之厚度者。14.如申请专利范围第12项所示之液晶显示元件,其特征为:上述液晶(21)系由具强诱电介质相与具反强诱电介质相一起之反强诱电介质性液晶所构成者。15.如申请专利范围第1项所示之液晶显示元件,其特征为:可将上述第1基板与第基板(11.12)之间加以封闭,经以烧成而构成之密封材(20);至少形成在上述第1基板(11)与上述第2基板(12)的相面对之一面,由其玻璃化温高于上述密封材(20)的烧成温度之物质所构成之配向膜(18.19);及配置在上述第1与第2基板(11.12)及上述密封材(20)所形成的领域之液晶(21)者。16.如申请专利范围第15项所示之液晶显示元件,其特征为:上述密封材(20)系具液晶注入用之开口(25);上述开口(25)系用其烧成温度低于上述配向膜(18.19)的玻璃化温度所形成之封闭剂(26)所封闭者。17.如申请专利范围第15项所示之液晶显示元件,其特征为:上述液晶(21)系由有强诱电介质相及/或反强诱电介质相之液晶所构成者。图示简单说明:第一A、一B图;外加电压与液晶分子配向之关系图,第一A图为加上正极性电压时之液晶分子之配向;第一B图为加上负极性电压时液晶分子之配向。第二图:本发明第1实施例液晶显示元件之构造断面图。第三图:第二图所示液晶显示元件之下基板构成平面图。第四图:配向处理方向与上下偏光板透过轴方向和液晶分子配向方向之关系平面图。第五图:配向膜18之研磨方法说明图。第六图:第1实施例液晶显示元件的外加电压与穿透率之关系曲线图。第七A、七B图:第1实施例液晶显示元件驱方法一例之说明用波形图,第七A图为闸极信号波形图,第七B图为数据信号波形图。第八图:使用第七A、七B图之驱动波形以驱动第1实施例液晶显示元件时,其穿透率之变化曲线图。第九图:使用第七A、七B图之驱动波形,以驱动比较例液晶显示元件时,其穿透率之变化曲线图。第十图:可在第1实施例中使用的反强诱电介质性液晶之外加电压与穿透率之关系曲线图。第十一-十三图:分别为可在第1实施例中使用的反强透电介质性液晶之外加电压与穿透率之关系曲线图。第十四A、十四B图:前倾角与液晶配向状态之关系说明图、第十四A图是前倾角为10时之配向缺陷产生状态图。第十四B图是前倾角为0.8时之配向缺陷产生状态图。第十五A、十五B图:配向膜的表面能与液晶配向状态之关系说明图。第十五A图是使用大表面能的配向膜时之配向缺陷产生状态图,第十五B图是使用小表面能的配向膜时之配向缺陷产生状态图。第十六A图:配向膜厚度为60nm时,外加电压与穿透率之关系曲线图第十六B图:配向膜厚度为30nm时,外加电压与穿透率之关系曲线图。第十七图:配向膜厚度与饱和电压之关系曲线图。第十八图:在相面对基板上涂布密封材之状态平面图。第十九A图:以玻璃化温度为200℃之聚亚胺形成配向膜时,反强诱电介质性液晶之配向缺陷产生状态图。第十九B图:以玻璃化温度为250℃之聚亚胺形成配向膜时,反强诱电介质性液晶之配向缺陷产生状态图。 |
