发明名称 升压电路的输出电压控制电路
摘要 本发明关于一种从升压电路的输出电压控制电路,更明确地说,是一种电荷增压电路的输出电压控制电路,可以减少晶元面积,该电路可以利用NMOS电晶体中P-N介面崩溃电压,使得电荷增压电路输出多种准位之电压。
申请公布号 TW325570 申请公布日期 1998.01.21
申请号 TW084113894 申请日期 1995.12.26
申请人 现代电子工业股份有限公司 发明人 申允燮
分类号 G11C5/14 主分类号 G11C5/14
代理机构 代理人 郑煜腾 台北巿松德路一七一号二楼
主权项 1.一种升压电路的输出电压控制电路,包含:一电荷增压电路,可以根据命令讯号(COMMAND)从输出端输出固定电压;一个多准位选择解码器,可以根据命令讯号(COMMAND)输出不同相位的脉冲讯号;一个首级电压控制电路,根据上述脉冲讯号之中的一个脉冲讯号,用以维持上述输出端输出在第一个电压位准;一个二级电压控制电路,根据上述脉冲讯号之中的另一个脉冲讯号,用以维持上述输出端输出在第二个电压位准;一个三级电压控制电路,根据上述脉冲讯号之中的另一个脉冲讯号,用以维持上述输出端输出在第三个电压位准。2.如申请专利范围第1项的升压电路的输出电压控制电路,其中上述的首级电压控制电路包含:第一个NMOS电晶体包含一个闸极,一个汲极,一个源极,P+位井与N-位井用以造成崩溃现象,发生于崩溃电压作用在汲极与P+位井上时,此时电荷增压电路产生的输出电压作用在汲极区,源极区变成浮接,零伏特作用在P+位井,闸极被接地;一个装置,从多准位选择解码器的输出脉冲讯号之中,提供给上述首级NMOS电晶体的P+位井区一个反相讯号;一个装置,根据多准位选择解码器的输出脉冲讯号之一,提供VCC电源至上述首级NMOS电晶体的源极。3.如申请专利范围第1项的升压电路的输出电压控制电路,其中上述的二级电压控制电路包含:第一高压电晶体连接至电压增压电路的输出端,执行二极体之功能;第二NMOS电晶体包含一个闸极,一个汲极,一个源极,P+位井与N-位井用以造成崩溃现象,发生于崩溃电压作用在汲极与P+位井上时,此时电荷增压电路产生的输出电压作用在汲极区,源极区变成浮接,零伏特作用在P+位井,闸极被接地;一个装置,从多准位选择解码器的输出脉冲讯号之中,提供给上述第二NMOS电晶体的P+位井区一个反相讯号;一个装置,根据多准位选择解码器的输出脉冲讯号之一,提供VCC电源至上述第二NMOS电晶体的源极。4.如申请专利范围第1项的升压电路的输出电压控制电路,其中上述的三级电压控制电路包含:第二高压电晶体连接至该升压电路的输出端,执行二极体之功能;第三高压电晶体连接至该升压电路的输出端,执行二极体之功能;第三NMOS电晶体包含一个闸汲,一个汲极,一个源极,P+位井与N-位井用以造成崩溃现象,发生于崩溃电压作用在汲极与P+位井上时,此时第二、第三高压电晶体的降落电压作用在汲极区,源级区变成浮接,零伏特作用在P+位井,闸极被接地;一个装置,从多准位选择解码器的输出脉冲讯号之中,提供给上述第三NMOS电晶体的P+位井区一个反相讯号;一个装置,根据多准位选择解码器的输出脉冲讯号之一,提供VCC电源至上述第三NMOS电晶体的源极。图示简单说明:第一图是基于本发明原理的一个控制电路,从电荷增压电路端控制输出电压;第二图是基于一个拥有三位井结构的NMOS电晶体,可用来说明第一图;第三图是说明第一图的时序图。
地址 韩国
您可能感兴趣的专利