发明名称 薄膜式磁头端及其制造方法
摘要 一种薄膜式磁头端及其制造方法,在该薄膜式磁头与制造方法中,一基体物质系层叠于一晶元上,而一铁心系部份层叠于基体内以形成一方位沟;导电接点系在多数的通过晶元的穿孔内;一已层叠了的线圈系被连接至导电接点,而有着方位角的铁心与基体乃被整圆;因此,薄膜式磁头端乃可利用较少的制造程序而获得,磁头并可通过大量制产而制得。
申请公布号 TW325561 申请公布日期 1998.01.21
申请号 TW086109091 申请日期 1997.06.28
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 郑昺洙
分类号 G11B5/127 主分类号 G11B5/127
代理机构 代理人 郑再钦 台北巿民生东路三段二十一号十楼
主权项 1.一种薄膜式磁头端,包括:一非磁绝缘体之晶元;一接点,系介于穿过晶元而形成的多数穿孔间;一非磁绝缘体之基体,系层叠于晶元上;一铁心,系部份在基体内,且具有方位沟;以及一线圈,系圈绕着铁心而在基体内,其具有皆连接至导电接点的两个部份。2.如申请专利范围第1项之薄膜式磁头端,其包括一与磁铁心的表面一起弯曲之弯曲表面,其并有方位沟,以及一基体。3.如申请专利范围第1项或第2项之薄膜式磁头端,其中导电性接点系以金属形成。4.一种制造一薄膜式磁头端的方法,包括:(a)形成多数穿过晶元的孔;(b)以导电材料填充穿孔;(c)利用一晶元制造程序将一非磁性绝缘体的基体,具有一方位沟的磁性铁心,与一介于围绕晶元上的磁性铁心一预定形状之基体中的线圈叠积;以及(d)将叠积着的晶元切割成为薄膜式磁头端。5.如申请专利范围第4项之制造一薄膜式磁头端的方法,其中在(c)步骤期间,磁铁心与基体系以阶梯形状层叠,以形成一与磁铁心的表面一起弯曲之弯曲表面,而有方位沟与基体。6.如申请专利范围第4项或第5项之制造一薄膜式磁头端的方法,其中,在步骤(c)中,一预定材料系利用沈积法与光刻法顺序地以一预定形状沈积在晶元上。图示简单说明:第一图系一卡式录影机之磁头鼓的立体图;第二图系第一图所示磁头端之立体图;第三图系使用作为本发明之薄膜式磁头端的晶元之部份切断立体图;第四图系一截面图,解释利用一晶元制程的层叠步骤来形成本发明的薄膜式磁头端的步骤;第五图系一晶元板的立体图,其中本发明的薄膜式磁头端系以层叠形成;第六图系一利用切割第五图的晶元板所获得的薄膜式磁头端的立体图;以及第七图系一立体图,表示本发明之薄膜式磁头端附着至磁头基座的步骤。
地址 韩国