用以形成半球形晶粒层及制造半导体装置中之电容器的方法

摘要

一种用于形成具所需密度与所需形状之半球形硅晶粒层以增大一电容器之储存电极之面积的方法。该方法包括于一供形成半球形硅晶粒之底硅层上形成一薄氧化物膜,以使该等半球形硅晶粒可于指定状况下形成为具有所需之密度与所需之形状,不管底硅层是否掺有杂质离子且不管底硅层之晶体结构如何。

主权项

1.一种用以于一底硅层上形成半球形硅晶粒层之方法，包括下列步骤：去除存在于该底硅层上之一自然氧化物膜；于该底硅层之上形成一薄氧化物膜；及于该薄氧化物膜上形成一半球形硅晶粒层。