发明名称 对非易失性存贮器编程的方法
摘要 对非易性存贮单元编程的方法,该方法包含步骤:在偏程中至少二个阈值电平,将随着每个阈值电平编程变化的第一电压加到控制栅,将第二电压加到漏极和将第三电压加到源极,使在初始阶段沟道区域关断并为编程使电荷载流子从浮置栅传送到漏极;在每个阈值电平编程期间监控该沟道区域的导电性;和当该被监控的导电性达到参考值时终止第一电压、第二电压和第三电压中的至少一电压以终止编程。
申请公布号 CN1170934A 申请公布日期 1998.01.21
申请号 CN96121893.2 申请日期 1996.12.10
申请人 LG半导体株式会社 发明人 崔雄林
分类号 G11C7/00 主分类号 G11C7/00
代理机构 柳沈知识产权律师事务所 代理人 黄敏
主权项 1、一种对非易失性存贮单元编程的方法,该非易失性存贮单元具有一控制栅、一浮置栅、一漏极、一源极和在该漏极与源极之间的沟道区域,该方法包含步骤:在编程中至少二个阈值电平,将随每个阈值电平编程而变化的一第一电压加到控制栅,将一第二电压加到漏极和将一第三电压加到源极,使得在初始阶段该沟道区域被关断并且用于编程的电荷载流子从浮置栅传送到漏极;在该非易失性存贮单元的每个阈值电平编程期间监控该沟道区域的一导电性;和当被监控的导电性达到一参考值时终止在第一电压、第二电压和第三电压中的至少一个电压的供给以终止该编程。
地址 韩国忠清北道