发明名称 PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE A MATRICE ACTIVE A CRISTAL LIQUIDE ET STRUCTURE DU DISPOSITIF D'AFFICHAGE SELON CE PROCEDE
摘要 <P>La présente invention concerne la structure d'un dispositif d'affichage à cristal liquide et un procédé de fabrication d'une telle structure, dans lequel on utilise un transistor en couche mince comme élément de commutation; elle concerne particulièrement un procédé de fabrication d'un premier substrat d'un dispositif d'affichage à cristal liquide, utilisant un matériau organique tel que du BCB (benzocyclobutène) et du PFCB (perfluorocyclobutane) comme couche isolante et couche de protection.<BR/>L'introduction d'une couche organique dans le transistor en couche mince conduit à des problèmes dans les caractéristiques du dispositif d'affichage à cristal liquide. L'invention propose donc un traitement au plasma, avec un gaz contenant du O2 , N2 , N ou F, appliqué à la couche semi-conductrice et à la couche d'isolation de grille organique, qui empêche le détachement des couches, et les pièges de charge à l'interface, comprenant la couche semi-conductrice, de sorte que le taux d'ouverture du dispositif d'affichage peut être amélioré, sans pour autant influencer la caractéristique de transmission du transistor en couche mince.</P>
申请公布号 FR2751131(A1) 申请公布日期 1998.01.16
申请号 FR19970008020 申请日期 1997.06.26
申请人 LG ELECTRONICS INC 发明人 KIM JEONG HYUN;PARK SUNG IL
分类号 G02F1/136;G02F1/1362;G02F1/1368;G09F9/35;H01L21/28;H01L21/306;H01L21/336;H01L21/77;H01L29/49;H01L29/786 主分类号 G02F1/136
代理机构 代理人
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