| 主权项 |
1.一种用以清理电浆蚀刻装置之静电盘表面的残骸与污染物之方法,该装置具有一制程室,一射频电源,于制程室中有一静电晶片卡盘,一卡盘电极,和一直流电源连接至该卡盘电极,该方法包括:连接一可挠性之软质材料至一仿真半导体晶片之背面,将该仿真晶片置于制程室内之静电晶片卡盘上,并使片状材料与晶片卡盘直接接触,通入一直流电源至此卡盘电极,此直流电高至足以在晶片与晶片卡盘间建立起一高静电力,终止通入此卡盘电极之直流电源,并且移去固定于片状材料之仿真晶片与污染物残骸。2.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包括测试卡盘之清洁度,包括:提供一开槽系统至此卡盘之顶层表面,置放一清洁的半导体晶片于此晶片卡盘,将制程室内之空气抽成真空,通入一直流电源至该卡盘电极以确保晶片确实卡至卡盘,通入一惰性气体至此晶片卡盘之开槽系统内,及监控开槽系统内之气漏状况。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该片状材料具有2.5至3.5密尔(mil)范围内的厚度。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该片状材料为柔软的易弯曲的塑胶材料。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该材料经剪裁成符合仿真晶片之形状。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该片状软质材料是一种软质塑性之高分子材料片。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该塑性高分子材料是一种聚亚醯胺薄膜。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该真空润滑油是使用于改善聚亚醯材料片与晶片间之附着性。图示简单说明:第一图为一典型的电浆蚀刻装置示意图,而本发明之方法得以实施于该装置上。第二图为一流程图,显示着本发明方法之步骤。 |
