成长不同厚度氧化层的制程

摘要

成长不同厚度氧化层的制程，其系使用离子植入法以成长不同厚度的氧化层，利用氮气或氟气或氯气为离子源，布植进入主动区下的半导体基底，其中有氮原子布植之区域，因其阻隔氧气与矽接触之机率，故经热氧化法处理后，进行的氧化程度较差，故形成的氧化层厚度较薄；而布植有氟或氯原子的区域，因其有较大之氧化电位，可促进矽与氧作用，故经热氧化法处理后，进行的氧化程度较佳，形成的氧化层厚度亦较厚。

主权项

1.一种成长不同厚度之氧化层的制程,其步骤包括:提供一半导体基底,其上并形成有一场区氧化层,一牺牲氧化层于该半导体基底上,以及至少一第一、第二主动区,位于该牺牲氧化层上;形成一光阻层于该牺牲氧化层及该场区氧化层上,并露出该第一主动区表面;布植氮原子进入该第一主动区下之半导体基底表面,形成一氮原子扩散区;去除该光阻层;去除该牺牲氧化层;以及利用热氧化法分别在该第一、第二主动区上形成至少一第一及第二氧化层。2.如申请专利范围第1项所述之EM制程 ,其中该牺牲氧化层是二氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之EM制程 ,其中该氮原子的布植剂量约为21013-51014,其布植时间约为10-15分钟。4.如申请专利范围第1项所述之EM制程 ,其中该第一氧化层系二氧化矽层。5.如申请专利范围第4项所述之EM制程 ,其中该第一氧化层之厚度约为30-50A。6.如申请专利范围第1项所述之EM制程 ,其中该第二氧化层系二氧化矽层。7.如申请专利范围第6项所述之EM制程 ,其中该第二氧化层之厚度约为70A。8.一种成长不同厚度之氧化层的制程,其步骤包括:提供一半导体基底,其上并形成有一场区氧化层,一牺牲氧化层于该半导体基底上,以及至少一第一、第二主动区,位于该牺牲氧化层上;形成一光阻层于该牺牲氧化层及该场区氧化层上,并露出该第二主动区表面;布植卤素原子进入该第二主动区下之半导体基底表面,形成一卤素原子扩散区;去除该光阻层;去除该牺牲氧化层;以及利用热氧化法分别在该第一、第二主动区上形成至少一第一及第二氧化层。9.如申请专利范围第8项所述之EM制程 ,其中该牺牲氧化层是二氧化矽层。10.如申请专利范围第8项所述之EM制程 ,其中该卤素原子系氟原子。11.如申请专利范围第8项所述之EM制程 ,其中该卤素原子系氯原子。12.如申请专利范围第8项所述之EM制程 ,其中该第一氧化层系二氧化矽层。13.如申请专利范围第12项所述之EM制程 ,其中该第一氧化层之厚度约为50A。14.如申请专利范围第8项所述之EM制程 ,其中该第二氧化层系二氧化矽层。15.如申请专利范围第14项所述之EM制程 ,其中该第二氧化层之厚度约为70A。16.一种成长不同厚度之氧化层的制程,其步骤包括:提供一半导体基底,其上并形成有一场区氧化层,一牺牲氧化层于该半导体基底上,以及至少一第一、第二及第三主动区,位于该牺牲氧化层上;形成一第一光阻层于该牺牲氧化层及该场区氧化层上,覆盖该第一及第二主动区,并露出该第三主动区表面;布植氮原子进入该第三主动区下之半导体基底表面,形成一氮原子扩散区;去除该第一光阻层;形成一第二光阻层于该牺牲氧化层及该场区氧化层上,覆盖该第二及第三主动区,并露出该第一主动区表面;布植卤素原子进入该第一主动区下之半导体基底表面,形成一卤素原子扩散区;去除该第二光阻层;去除该牺牲氧化层;以及热氧化法分别在该第一、第二及第三主动区上形成至少一第一、第二以及一第三氧化层。17.如申请专利范围第16项所述之EM制程 ,其中该牺牲氧化层是二氧化矽层。18.如申请专利范围第16项所述之EM制程 ,其中该卤素原子系氟原子。19.如申请专利范围第16项所述之EM制程 ,其中该卤素原子系氯原子。20.如申请专利范围第16项所述之EM制程 ,其中该第一氧化层系二氧化矽层。21.如申请专利范围第16项所述之EM制程 ,其中该第二氧化层系二氧化矽层。22.如申请专利范围第16项所述之EM制程 ,其中该第三氧化层系二氧化矽层。23.如申请专利范围第16项所述之EM制程 ,其中该第一氧化层之厚度>该第二氧化层厚度>该第三氧化层厚度。图示简单说明:第一A-一C图是习知一种成长不同厚度氧化层的剖面制造流程图。第二A-二D图是根据本发明的一种成长不同厚度氧化层的第一实施例剖面制造流程图。第三A-三D图是根据本发明的一种成长不同厚度氧化层的第二实施例剖面制造流程图。第四A-四F图是根据本发明的一种成长不同厚度氧化层的第三实施例剖面制造流程图。