PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR NOTAMMENT D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAL LIQUIDE

摘要

Un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprenant les étapes de:
- formation d'une première couche métallique (114; 117) sur un substrat ou sur une couche;
- formation d'un motif en agent photosensible sur la première couche métallique en utilisant un masque, le masque présentant un motif de lignes et d'espacements dans lequel la largeur des espacements est inférieure à la résolution du système d'exposition; et
- formation d'une structure dans la première couche métallique en utilisant le motif d'agent photosensible, de sorte à former un motif de première couche métallique correspondant au motif d'agent photosensible.
L'invention évite les court-circuits et les problèmes de connexion provoqués par les épaulements des couches minces.
Applications à la fabrication de dispositifs d'affichage à cristal liquide à matrice active.