| 摘要 |
<P>Pour assurer un bon confinement électrique et une bonne planéité des miroirs (MS, MI) délimitant la cavité résonnante du laser, le procédé consiste à réaliser une couche de confinement électrique (a1, a2) par les étapes suivantes:<BR/>- formation d'une couche de sous-gravure,<BR/>- au moins une croissance sur la couche de sous-gravure,<BR/>- formation d'une mesa définissant la forme et l'emplacement du miroir supérieur (MS) et laissant apparaître sur ses parois verticales la couche du sous-gravure, et<BR/>- gravure latérale contrôlée de la couche de sous-gravure.<BR/>Application pour la fabrication d'un laser semi-conducteur sur substrat III-V tel que InP et GaAs.</P> |
