| 摘要 |
<P>L'invention concerne une composition diélectrique hyperfréquence à frittage à basse température qui comprend une composition de type xLiO1/2 -YCaO-zSmO3/2 -wTiO2 -qBO3/2 dans laquelle 13,00 =<x =<16,00, 11,00 =<y =<13,00, 18,00 =<z =<21,00, 45,00 =<w =<51,00 et 0 =<q =<12,0, où les valeurs numériques sont en mol% par rapport à la composition totale, la composition pouvant être frittée à une température inférieure à 1250 deg.C.<BR/>La composition selon l'invention peut être utilisée notamment dans un composant de télécommunications à haute puissance débitée.</P>
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