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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstelle für die Schaltung eines Halbleiterbauelementes
摘要
申请公布号 DE69031753(D1) 申请公布日期 1998.01.08
申请号 DE1990631753 申请日期 1990.07.17
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP 发明人 SAMATA, SHUICHI, C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIV., TOKYO, JP;MATSUSHITA, YOSHIAKI, C/O INTELLECTUAL PROPERTYDI, TOKYO, JP
分类号 H01L21/28;H01L21/285;H01L23/532;H01L29/43;(IPC1-7):H01L21/20;H01L21/768 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
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