| 摘要 |
<p>Um eine Lithographie-Belichtungseinrichtung umfassend eine Aufnahme (38) für ein Substrat (36), eine Belichtungseinheit (10, 12, 14, 16) zur Erzeugung eines Lichtflecks auf der lichtempfindlichen Schicht (34) des Substrats, eine Bewegungseinheit (40) zur Erzeugung einer Relativbewegung zwischen der Belichtungseinheit und der Aufnahme und eine Steuerung zur Intensitäts- und Lagesteuerung des Lichtflecks auf der lichtempfindlichen Schicht zu schaffen, mit welcher mittels Lithographie mit grosser Effizienz kleine Strukturen in kurzen Zeiträumen herstellbar sind, wird vorgeschlagen, dass die Belichtungseinheit eine Vielzahl von Halbleiterlasern (10) umfasst, dass die Strahlführungsoptik (16) die Laserstrahlung jedes Halbleiterlasers zu einem Lichtfleck eines definierten Lichtfleckmusters führt und dass das gesamte Lichtfleckmuster und die Aufnahme in einer Belichtungsbewegungsrichtung relativ zueinander bewegbar und dabei die Lichtflecken des Lichtfleckmusters entsprechend der Form der zu belichtenden Teilbereiche aktivierbar oder deaktivierbar sind.</p> |
