| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 通过除去或者减少利用金属元素得到结晶硅膜中的该金属元素,得到具有优良特性的结晶硅膜,并且利用该结晶硅膜得到具有优良特性的半导体器件。通过第1加热处理,在非晶硅膜中,掺入促进硅结晶的金属元素,得到使该非晶硅膜结晶的结晶硅膜以后,在氧化气氛中进行第2加热处理、除去或者减少在该结晶硅膜中存在的金属元素,除掉形成的热氧化膜,在除掉该热氧化膜区域的表面上,再次进行热氧化,通过形成热氧化膜等得到半导体器件及其制造方法。该氧化气氛,采用含氧的氧化气氛,和含有卤素的氧化气氛等。 | ||
| 申请公布号 | CN1169589A | 申请公布日期 | 1998.01.07 |
| 申请号 | CN97109515.9 | 申请日期 | 1997.01.19 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山舜平;寺本聡;小山润;尾形靖;早川昌彦;纳光明;大谷久;滨谷敏次 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 叶恺东;王忠忠 |
| 主权项 | 1、半导体器件的制造方法，其特征是具有下列工序，在非晶硅膜中按要求掺入促进硅结晶的金属元素，通过第1加热处理使非晶硅膜结晶得到结晶硅膜，在氧化气氛中进行第2加热处理，除去或者减少在结晶硅膜中存在的该金属元素，除掉在该工序形成的热氧化膜，在除掉该热氧化膜区域的表面上再次进行热氧化，形成热氧化膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||