清洗多层牺牲腐蚀的硅衬底的方法

摘要

通过各种腐蚀和键合方法,在硅衬底中形成检测体和至少一个相关的铰接部分,制造加速度计。该法必须在检测体下离子注入和形成氧化物支撑层,把两个互补的检测体和衬底结构整体地键合在一起,然后去掉氧化物支撑层,在硅材料体内只留下由铰接部分支撑的检测体。在键合和深腐蚀方法中,处理晶片,并将晶片锯切成两半,然后将互补的两半接合键合在一起,获得完成的加速度计。在制造复合晶片期间,将晶片安装在离心机中,旋转去除腐蚀剂。

主权项

1.一种形成多层牺牲腐蚀硅衬底的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：提供具有多层隐埋氧化层的硅衬底；腐蚀掉隐埋氧化层；把所述硅衬底悬于旋转夹具上，且距旋转夹具的中心一定距离；使夹具绕所述中心以一旋转速度旋转，以获得预定离心力。