夹层介质的平整方法及装置

摘要

提供了一种平整半导体集成电路中夹层介质的方法,它能以高生产率去除剩余介质层而不去除介质层表面本身。在半导体底层表面形成一层绝缘层之后,在绝缘层上形成一层互连层,再在其上形成覆盖介质层。与互连层位置对应处有介质层突起,接着在介质层上形成一层与互连层图形相反的光刻胶图形层。然后用它作掩模,有选择地刻蚀夹层介质,按一定深度去除突起的顶部。随后,发射一束硬颗粒冲撞夹层介质的剩余突起将其去除。

主权项

1.一种夹层介质的平整方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：(a)制备一个半导体的底层结构；(b)在所述半导体底层结构的主表面上形成一层绝缘层；(c)在所述绝缘层上形成一层具有导电连线的互连层；(d)在所述绝缘层上形成一层用以覆盖所述互连层的夹层介质，所述介质层上在与其下面的所述互连层的所述导电连线相对应的位置处有突起；(e)在所述夹层介质上形成一层具有与所述互连层相反几何形状的光刻胶图形层；(f)利用所述光刻胶图形层作掩膜，有选择地刻蚀所述夹层介质，从而按照所要求的深度将所述突起的顶部去掉一部分；(g)发射一束固体颗粒冲撞所述夹层介质的所述剩余突起从而将突起去除。