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<p>Zur Herstellung von stabilen endohedralen Fullerenen der Struktur Z@Cx mit x ≥ 60 wird ein Verfahren angegeben, bei dem erfindungsgemäß ein Z-Atom in das Fulleren implantiert wird, wobei gleichzeitig in einem Vakuumgefäß sowohl Fullerene als auch niederenergetische beschleunigte Z-Teilchen bereitgestellt werden und miteinander wechselwirken, dann diese Fullerene aus dem Vakuumgefäß entfernt, in Lösungsmittel gelöst und getrocknet werden. Als Z-Atome werden Atome der Nicht- und Halbmetalle implantiert. Die Bereitstellung der Fullerene erfolgt durch Aufdampfen von Cx auf ein Substrat und die Bereitstellung der beschleunigten Z-Teilchen aus einer Ionenquelle, wobei die beschleunigten Teilchen auf die auf dem Substrat aufwachsende Fullerenschicht gerichtet werden, bzw. die Bereitstellung der Fullerene erfolgt durch Verdampfen von Cx in einem mit einem das zu implantierende Material enthaltenden Gasgemisch durchströmten Ofen und die Bereitstellung der beschleunigten Z-Teilchen durch eine Hochspannungs-Gasentladung in demselben Ofen. In der erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Herstellung der endohedralen Fullerene mittels einer Hochspannungs-Gasentladung weist die Kathode Mittel zu ihrer Kühlung und/oder eine vergrößerte Fläche auf.</p> |
