发明名称 |
淀积非常坚固的保护涂层的方法 |
摘要 |
在至少一部分上淀积坚固的保护涂层的方法,其中将与10—70%的氦和氩的混合物结合的10—70%的氮,或用于强烈激发和离解氮和氢的10—70%的氖添加到前体气中,并选择供给前体气的各原子的能量以便达到限定能量范围的所谓Lifschitz条件,在该条件下生产最大数量的金刚石型四面体结构代替石墨结构。 |
申请公布号 |
CN1169757A |
申请公布日期 |
1998.01.07 |
申请号 |
CN95196758.4 |
申请日期 |
1995.11.06 |
申请人 |
S·纽维勒 |
发明人 |
S·纽维勒 |
分类号 |
C23C16/26;C23C16/50;C23C16/34;C23C16/36;C23C14/06 |
主分类号 |
C23C16/26 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
陈季壮 |
主权项 |
1.一种有采用PECVD技术在至少一部分上淀积基本上不含氢且基于碳和氮的假金刚石类非品质碳保护涂层的方法,通过该方法将含有一种或多种烃和掺杂剂的前体气引入真空室中,该真空室装有金属支座;该支座与可产生直流或交流电且在射频或微波范围运行的发电机连接,支座上放置了待涂覆零件,在该室内保持放电,以便使该零件的温度升高至150-400℃,与此同时淀积厚度超过1μm,在电力和压力条件下使前体气物理和化学地激发并电离成等离子体形式,以便通过离子轰击使假金刚石状非晶碳保护涂层淀积在零件上,其特征在于向该前体气加入,一方面与10-70%氦和/或氩的混合物或与其作用在于有力地激发和离解氮和氢的10-70%氖结合的10-70%氮;另一方面向前体气中加入作为催化剂以分开CH型键的0.5-5%的硼,以便将氢除去并促进CN键的生成,其特征还在于选择供给前体气的各原子的能量以便造成限定能量范围的所谓Lifschitg条件,在该条件下通过消耗石墨型结构而得到最大数量的金刚石型四面体结构。 |
地址 |
法国蒙特-恩-戈勒 |